机译:多次能量碳离子注入和后热退火合成Si中β-SiC的埋层
机译:大剂量质子注入在Si和SiC晶体中形成的埋藏纳米级损伤层
机译:氧气从SOI和SiC-SOI衬底中的掩埋层向外扩散
机译:通过将N〜+和Al〜+离子的共注入为6H-SiC形成的埋地(SiC)_1-x(ALN)_x层的研究
机译:在碳化硅中进行高通量离子注入,以制造柔性衬底。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:1950°C注入后退火后的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:通过离子注入在siC中形成用于柔顺衬底的掩埋软层